三星SK海力士加强3D Nand投资 应对紫光集团攻势

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中国政府全面扶持半导体行业发展,清华紫光集团和武汉新芯展开投资攻势,韩国、日本及美国的半导体企业也随之掀起了投资热潮。

据市场调查机关D-RAM Exchange和半导体行业消息,全球市场中Nand-flash事业在2011-2016年间以年均47%的速度急速增长。

注意到这一点的紫光集团近期已经收购了武汉新芯的部分股权,而后者也将改名为长江存储技术公司。D-RAM Exchange评价认为,这引起了Nand-flash业界的版块变动。

并分析称,和紫光集团相比,武汉新芯在技术力上更胜一筹。武汉新芯一直同美国半导体原材料企业Spansion共同开发Nand-flash技术,已经达到了量产32层多层芯片的初步阶段。另外,武汉新芯目前还正在计划投资建设规模为240亿美元的晶元(Wafer)工厂。

对此,三星电子一方面在持续投资位于中国西安的存储器工厂,另一方面,为了在世界最大规模的京畿道平泽半导体园区量产3D Nand产品,还建造了新的生产线。据悉,三星在平泽园区的投资金额达15.6万亿韩元。

从明年第一季度起,SK海力士也将在京畿道仁川的M14 FAB工厂中进行3D Nand产品的第二阶段量产。目前,M11和M12生产线正在生产Nand-flash产品。

此外,日本东芝也与西部数据公司合作,计划在日本八日市市通过新FAB 2生产线量产3D Nand产品。美国Micron也通过与台湾存储卡技术企业Inotera合作欲追击Nand-flash市场的巨头三星。

(亚洲经济版权所有)
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