据SK hynix透露，该产品是业界最尖端的128层堆栈4D NAND，适用超均一垂直植入技术、高信赖多层薄膜构成技术、超高速低电力线路设计等技术。同时，该产品也是用TLC存储方式打造的NAND中，首次达到1TB容量的产品。
此前，SK海力士去年10月曾经将CTF(Charge Trap Flash)和PUC(Peri Under Cell)结合，首次制造出96层4D NAND。SK海力士相关人士表示，此次开发的4D NAND在既有的96层 4D NAND基础上将生产性提高40%，投资效率提高60%。在96层NAND中增加32层单元的同时，将全体工程数量减少5%，将128层NAND的转换投资费用比以前减少60%。
SK海力士计划从今年下半年开始销售该产品，并推出利用该产品的解决方案产品。首先，SK海力士计划在明年上半年开发下一代移动通信用存储装置UFS 3.1产品，供应给主要智能手机客户公司。产品比512GB NAND消耗电力降低20%，厚度也变薄。
此外，SK海力士还将于明年上半年推出普通消费者使用的内置自主控制器和软件2TB容量SSD，用于数据中心的16TB和32TB NVMe SSD也将于明年之内推出。
SK海力士副总经理吴钟勋（音）表示，128层4D NAND将确保NAND项目的根本竞争力。该产品实现业界最多层堆栈、最高容量，将及时提供各种解决方案。
【图片来源 SK海力士】
