SK海力士成功开发出10纳米级的第三代微细工程。这距去年11月成功开发第2代10纳米双倍数据传输(DDR)4 dram仅过了11个月。
21日，SK hynix表示，已开发出适用第3代10纳米级(1z)微工程的16千兆(Gbit) DDR4 dram。
dram是一种可以在电脑或信息技术(IT)机器上记录、传递信息并读取信息或进行修改、处理的存储器。随着DDR内存一代被改为“1→2→3→4”，动作速度和电力消耗等D内存的性能也在得到改善。
速度和容量越大，传输电信号的线路宽度越要窄。10纳米的传递信号的电路的幅度按1亿分之一米的10㎚可以画出的工程。工程分阶段分为1x, 1y, 1z，从x到z越来越细微。如果芯片变小，进入晶片1张的芯片数量就会增加，生产效率也会提高。
此次SK hynix开发的dram以单一芯片为准，是业界最大容量。在现有的dram中，1张晶片生产的存储器总容量最大。通常一台办公用电脑需要8千兆(GB)的模块，但16千兆dram只需4个就可以实现同样的容量。
生产效率比第二代产品(1y)约提高27%，成本竞争力也随之提高。即使没有高价的极紫外线(EUV)露光工程，也可以进行生产。
数据传输速度将支持到DDR4规格的最高速度3200Mbps。与用第2代8Gb产品生产的同一容量的模块相比，电力消费减少了约40%，电力效率也得到了改善。特别是，第3代产品适用了以前在第3代生产工程中不使用的新物质，最大限度地扩大了dram动作的核心要素——静电容量。
SK hynix计划，将用于新一代移动D内存LPDDR5和超高速D内存(HBM)3等多种应用领域，扩大适用第3代10纳米级细微工程技术。
SK海力士dram开发项目1z特别工作小组(TF)组长李政勋表示:“此次推出的dram是适合寻找高性能、高容量dram的顾客需求变化的产品。从明年开始将正式供应，积极应对市场需求。”
这是继三星电子和美光之后，SK海力士第三次开发第三代DDR4 dram。三星电子今年3月开发完成第三代10纳米级(1z) 8Gbit产品后，从今年9月开始批量生产。美光公司从8月开始批量生产10纳米级(1z) 16Gbit产品。SK hynix也计划在今年内完成量产准备，并从明年开始正式量产。
半导体业界的一位有关负责人预测说:“尽管今年半导体景气不太好，但三星电子和SK海力士等半导体企业正在为明年可能出现的企业景气恢复期做准备。特别是，随着今后对微工程的需求可能会进一步增加，企业的产品开发将会非常活跃。”
【图片来源 SK海力士】
