SK海力士继三星后成功开发出10纳米级第三代微细工程

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SK海力士成功开发出10纳米级的第三代微细工程。这距去年11月成功开发第2代10纳米双倍数据传输(DDR)4 dram仅过了11个月。

21日,SK hynix表示,已开发出适用第3代10纳米级(1z)微工程的16千兆(Gbit) DDR4 dram。

dram是一种可以在电脑或信息技术(IT)机器上记录、传递信息并读取信息或进行修改、处理的存储器。随着DDR内存一代被改为“1→2→3→4”,动作速度和电力消耗等D内存的性能也在得到改善。

速度和容量越大,传输电信号的线路宽度越要窄。10纳米的传递信号的电路的幅度按1亿分之一米的10㎚可以画出的工程。工程分阶段分为1x, 1y, 1z,从x到z越来越细微。如果芯片变小,进入晶片1张的芯片数量就会增加,生产效率也会提高。

此次SK hynix开发的dram以单一芯片为准,是业界最大容量。在现有的dram中,1张晶片生产的存储器总容量最大。通常一台办公用电脑需要8千兆(GB)的模块,但16千兆dram只需4个就可以实现同样的容量。

生产效率比第二代产品(1y)约提高27%,成本竞争力也随之提高。即使没有高价的极紫外线(EUV)露光工程,也可以进行生产。

数据传输速度将支持到DDR4规格的最高速度3200Mbps。与用第2代8Gb产品生产的同一容量的模块相比,电力消费减少了约40%,电力效率也得到了改善。特别是,第3代产品适用了以前在第3代生产工程中不使用的新物质,最大限度地扩大了dram动作的核心要素——静电容量。

SK hynix计划,将用于新一代移动D内存LPDDR5和超高速D内存(HBM)3等多种应用领域,扩大适用第3代10纳米级细微工程技术。

SK海力士dram开发项目1z特别工作小组(TF)组长李政勋表示:“此次推出的dram是适合寻找高性能、高容量dram的顾客需求变化的产品。从明年开始将正式供应,积极应对市场需求。”

这是继三星电子和美光之后,SK海力士第三次开发第三代DDR4 dram。三星电子今年3月开发完成第三代10纳米级(1z) 8Gbit产品后,从今年9月开始批量生产。美光公司从8月开始批量生产10纳米级(1z) 16Gbit产品。SK hynix也计划在今年内完成量产准备,并从明年开始正式量产。

半导体业界的一位有关负责人预测说:“尽管今年半导体景气不太好,但三星电子和SK海力士等半导体企业正在为明年可能出现的企业景气恢复期做准备。特别是,随着今后对微工程的需求可能会进一步增加,企业的产品开发将会非常活跃。”
 

【图片来源 SK海力士】

 
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