在刚刚举行的台积电2019年第四季度财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家提到了关于3nm工艺。魏哲家表示，他们正与客户就3nm工艺的设计进行合作，目前这一工艺研发进展顺利。台积电虽然此前表示过今年大规模量产5nm工艺，2022年为止大规模量产3nm工艺，但没有公开具体的技术蓝图。
三星电子于2018年首次公开包括GAA(Gate-All-Around)技术的3nm工艺蓝图，去年向客户公司提供开发设计工具包，本月官宣已成功研发出首款3nm工艺芯片。台积电是选择GAA技术还是选择既有的FinFET工艺，将影响到台积电与三星电子的竞争局势。如果台积电选择前者，双方的竞争势必更加激烈。
根据三星电子方面的说明，3nm芯片的总硅片面积减少35%，功耗降低50%，性能提高30%。代工企业中，拥有7nm以下制造工艺的只有三星电子和台积电两家企业。从7nm到3nm工艺，都是三星电子先开发成功。两家企业都以2022年实现3nm工艺量产为目标，双方的竞争局势发展如何尚难以预料。
KDB未来战略研究所研究员姜尚久（音）20日在报告中表示，率先批量生产3nm工艺，将大大增加从半导体设计企业招标的可能性。三星电子率先发布3nm工艺，有分析认为三星电子可以将量产时机提前一年左右，姜尚久表示现在下结论为时尚早。
台积电在16日进行的2019年度第四季度说法会上表示，2020年的资本开支是150到160亿美元，其中80%将投向先进产能扩增，包括7nm、5nm及3nm。姜尚久表示，在7nm以下制造工艺技术领域，台积电与三星电子平起平坐。
去年，三星宣布一项高达133万亿韩元的投资计划，目标是到2030年成为全球最大的“系统级芯片”（ SoC）制造商。以去年第四季度为准，三星电子的代工市场占有率为17.8%，台积电的市场占有率为52.7%。
【图片来源 韩联社】
