集邦咨询预测，HBM在整个DRAM比特（bit）容量中所占比重从2023年的2%上升到今年的5%，2025年可能超过10%。在市场价值方面，HBM在全体DRAM中占比预计从2023年的8%增至今年的21%，2025年超过30%。
HBM的销售单价截至2025年或上升5%至10%。集邦咨询指出，HBM的销售单价是传统DRAM的数倍，DDR5的5倍左右，这种定价与AI芯片技术相结合，通过增加单一设备的HBM容量，大幅提高HBM在DRAM市场上的容量和市场价值占有率。
今年HBM需求增长或接近200%，明年增长预计达到两倍。集邦咨询解释称，2025年HBM的价格协商已经在今年第二季度开始，因DRAM的整体生产能力有限，供应商们提前把价格上调5%至10%，对HBM2E、HBM3、HBM3E也产生一定影响。
HBM买家对AI需求前景保持高度信心，并愿意接受持续的价格上涨，而且HBM3E的硅通孔技术（TSV）投入产出比目前仅为40%至60%，因此还有改善的余地。集邦咨询分析称，并非所有主要供应商都已经通过HBM3E顾客的认证，因此买家为了确保优质稳定的供应，愿意接受更高的价格。
集邦咨询预测，未来每Gb的价格取决于DRAM供应商的信誉和供应能力，这会导致平均销售单价（ASP）失衡，最终影响盈利能力。目前，SK海力士和三星电子为了掌握HBM市场的主导地位，正在提高HBM的生产能力，以应对需求的增加。
SK海力士首席执行官（CEO）郭鲁正在2日举行的记者会上称：“HBM今年已经售罄，明年产量中的大部分也已售罄。”据悉，这不仅包括最近开始供应的8层堆叠HBM3E产品，还包括计划今年第三季度开始批量生产的12层堆叠HBM3E产品。
三星电子存储芯片部门战略营销室长金在俊也在上月30日召开的第一季度业绩会议上提到：“以比特为准，今年的HBM供应规模较去年增长三倍以上，相关数量已与供应商达成协议，截至2025年的供应量目标是今年的两倍以上，目前正在与客户企业进行积极协商。”
三星电子现计划第二季度开始批量生产12层堆叠HBM3E，SK海力士也把原定在明年开始供货的12层堆叠HBM3E提前到第三季度开始批量生产。预计HBM3E产品会搭载在英伟达于下半年推出的B100和GB200等产品以及超威半导体（AMD）的MI350、MI375等下一代AI芯片上。
三星电子与SK海力士的HBM3产品【图片来源 韩联社】
