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三星电子晶圆代工死磕台积电 3纳米制程定胜负?

发稿时间 2021-01-08 17:03
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​三星电子此前曾表示力争在2030年成为全球第一系统芯片公司,并在近年间全力追赶行业龙头企业中国台湾积体电路制造公司(以下简称“台积电”)。但分析认为,三星电子今年也难以缩小与台积电间的差距

据市场调研机构集邦科技预测,今年晶圆代工市场规模将同比增长约6%,达到879亿美元。受新冠疫情影响,非接触技术受到瞩目,智能手机、电视剧、电脑、服务用半导体需求随之上涨,汽车产业中的半导体使用率也在提升,由此将推动晶圆代工产值升高。

据分析,台积电今年在晶圆代工市场的份额或为54%,继续稳坐头把交椅。三星电子今年的市占率有望小幅提升1个百分点至18%,位列第2。两家公司的市场份额差距仍保持在30个百分点以上。

尽管三星电子在市占率上与台积电仍有较大差距,但在10纳米以下制程工艺市场上,三星电子有望与台积电一较高下。目前,全球仅台积电和三星电子拥有10纳米以下制程工艺技术,两家公司在该领域的份额约为六四开。

目前,三星电子与台积电在5纳米制程上展开较量。台积电已确保苹果、超微半导体和联发科技等主要客户商,三星电子方面则从高通和英伟达方面获取订单。再加上2022年高性能计算(HPC)相关芯片,精细制程芯片设计公司的订单将纷至沓来。

3纳米制程也是两家公司不容有失的战场。3纳米芯片主要适用于人工智能、第五代移动通信技术、自动驾驶和云计算等信息量高、处理速度快的领域。苹果、华为、谷歌、英伟达和微软等均被认为是强有力的潜在客户。

据悉,三星电子和台积电均将在2022年实现3纳米制程量产,但技术实现方向略有不同。三星电子采用环绕栅极晶体管技术(GAA,Gate All Around)进行3nm工艺制程的研发,台积电则将继续延用鳍式场效应晶体管技术(FinFET)。据了解,GAA技术通过使用纳米片设备制造出多桥-通道场效应管,该技术可显著增强晶体管性能。但相较FinFET结构,GAA工艺更加复杂和精巧,良品率是需克服的一大难关。而台积电或在2纳米制程上引入GAA技术。

由此,业界认为3纳米制程的成败将左右今后晶圆代工厂商的走向。SK证券研究员金荣宇(音)表示,从采用GAA技术的3纳米制程开始,三星电子将较台积电取得技术上的优势,台积电的2纳米(GAA技术)芯片或与三星第二代3纳米芯片的实际性能相似。因此若三星电子的3纳米GAA工艺能够取得成功,则2023年的晶圆代工市场或将发生巨变。

EBEST证券方面表示,三星电子在晶圆代工市场的份额并不低,且其他产商尚未攻破10纳米以下制程,难以进入该领域。基于此,两到三年后,三星电子在晶圆代工市场的份额有望上升到30%至40%。
 

【图片提供 韩联社】

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