今年一季度，三星电子的半导体业务收益全面落后于竞争公司。分析认为，在DRAM价格强势带动下，三星半导体业务业绩有望在第二季度得到改善，但全球半导体企业间的争霸战中，三星电子的半导体战略能否稳定推进存疑。
据三星电子此前发布的一季度财报，半导体业务销售额为19万亿韩元（约合人民币1092亿元），同比增长8%，但营业利润同比缩水16%，为3.37万亿韩元。考虑到今年半导体行业迎来超级周期，三星电子这一业绩未及预期。
竞争公司英特尔一季度业绩同样不理想，但依然好于三星电子。财报显示，英特尔一季度销售额为197亿美元（约为22.1万亿韩元），营业利润为37亿美元，较去年同期的70亿美元大幅缩水。据悉，截至去年，三星电子销售额虽落后于英特尔，但营业利润一直高于后者，这一趋势在今年未能得到延续。
晶圆代工领域的绝对强者中国台湾积体电路制造公司（以下简称“台积电”）则继续保持领先，一季度销售额为129亿美元（约合14.5万亿韩元），营业利润达53.6亿美元，均创历史新高。台积电销售额虽较三星电子少4万亿韩元，但营业利润达到后者的两倍左右。据了解，台积电目前在全球市场份额达到56%，销售额一半以上由5纳米和7纳米等尖端制程创造，收益性得到最大化。
分析认为，三星电子一季度半导体业务表现不佳主要受其美国得克萨斯州奥斯汀晶圆代工厂因寒潮停工影响，同时尖端制程转型期令早期投资增加。据悉，奥斯汀工厂一个多月的停工令三星电子亏损3000亿至4000亿韩元，平泽P2生产线等高价极紫外（EUV）光刻机设备的投入推动投资费用上涨。DRAM价格虽强势，但NAND价格持续下跌，也令三星存储业务表现不佳。
但专家分析认为，晶圆代工和系统半导体等非存储部门的低迷是拉低三星半导体整体表现的根本原因。
有分析指出，三星电子的5纳米晶圆代工投入产出比率持续下滑。在无法保障良品率的情况下，丢弃的晶圆造成大额损失，还可能导致无厂半导体公司难以信任三星电子并委托其生产。移动应用处理器等系统半导体业务同样处于无法创收的尴尬境地。尽管三星电子作为仅次于索尼的全球第二大互补式金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器制造商，但其市场份额并不乐观。
据券商推测，一季度三星电子存储业务营业利润接近3.5万亿韩元，但晶圆代工等非存储业务出现1000亿韩元左右赤字。即使排除奥斯汀工厂停工等因素，在全球芯片供不应求的大环境下，三星的业绩表现难言亮眼。
受非存储业务低迷影响，三星电子一季度半导体营业利润率下跌至17.7%。这一数据创下近五年来第二低，同时不及台积电营业利润率的一半，也低于英特尔的18.8%。
三星电子方面也察觉到业绩不振所带来的影响，因此在发布一季度业绩的电话会议中提前公开了下半年主力生产产品。据三星方面表示，在技术差距逐步缩小的存储领域，下半年将加速推进15纳米DRAM制程和128层第六代V-NAND制程，并扩大引入EUV制程。176层第七代V-NAND也将于下半年投入量产。
凭借DRAM价格反弹，三星电子业绩有望在第二季度有所改善。市场调研企业集邦科技预测，二季度DRAM价格将上涨20%至28%。
另据专家分析，三星电子若想提升领先优势，急需确保晶圆代工等非存储部门的竞争力。Eugene投资证券方面表示，除了存储业务和智能手机等消费电子外，三星电子还需证明自己拥有可缩小与台积电在晶圆代工领域差距的实力。据悉，三星电子计划在明年推出的3纳米制程中采用环绕式栈极（Gate-All-Around）工艺，缩短与台积电间的技术差距。
如何在资金实力上赶超台积电也是三星电子面临的课题。台积电与三星电子每年的半导体投资金额虽然都在30万亿至40万亿韩元间，但与台积电仅用于晶圆代工不同，三星电子投资额需同时用于存储芯片和非存储业务线。
与此同时，竞争公司的半导体设备扩张战已然打响。三星电子即将在美国投资170亿美元增设晶圆代工厂，在韩国也将投入30万亿至50万亿韩元用于平泽园区P3生产线。台积电也将于今后3年内投资1000亿美元，在美国亚利桑那州最多建造6家晶圆代工厂。
双方的投资战又引发新的忧虑，有声音指出，若三星电子为赶超台积电而盲目地集中投资晶圆代工，则可能牵连存储业务的领先地位受到动摇。
业界人士表示，三星电子需明确战略，以指引公司是超越台积电、还是确保晶圆代工与存储业务平衡发展齐头并进，在李在镕入狱、司法风险等因素影响下，三星电子处境不容乐观。
据三星电子此前发布的一季度财报，半导体业务销售额为19万亿韩元（约合人民币1092亿元），同比增长8%，但营业利润同比缩水16%，为3.37万亿韩元。考虑到今年半导体行业迎来超级周期，三星电子这一业绩未及预期。
竞争公司英特尔一季度业绩同样不理想，但依然好于三星电子。财报显示，英特尔一季度销售额为197亿美元（约为22.1万亿韩元），营业利润为37亿美元，较去年同期的70亿美元大幅缩水。据悉，截至去年，三星电子销售额虽落后于英特尔，但营业利润一直高于后者，这一趋势在今年未能得到延续。
晶圆代工领域的绝对强者中国台湾积体电路制造公司（以下简称“台积电”）则继续保持领先，一季度销售额为129亿美元（约合14.5万亿韩元），营业利润达53.6亿美元，均创历史新高。台积电销售额虽较三星电子少4万亿韩元，但营业利润达到后者的两倍左右。据了解，台积电目前在全球市场份额达到56%，销售额一半以上由5纳米和7纳米等尖端制程创造，收益性得到最大化。
分析认为，三星电子一季度半导体业务表现不佳主要受其美国得克萨斯州奥斯汀晶圆代工厂因寒潮停工影响，同时尖端制程转型期令早期投资增加。据悉，奥斯汀工厂一个多月的停工令三星电子亏损3000亿至4000亿韩元，平泽P2生产线等高价极紫外（EUV）光刻机设备的投入推动投资费用上涨。DRAM价格虽强势，但NAND价格持续下跌，也令三星存储业务表现不佳。
但专家分析认为，晶圆代工和系统半导体等非存储部门的低迷是拉低三星半导体整体表现的根本原因。
有分析指出，三星电子的5纳米晶圆代工投入产出比率持续下滑。在无法保障良品率的情况下，丢弃的晶圆造成大额损失，还可能导致无厂半导体公司难以信任三星电子并委托其生产。移动应用处理器等系统半导体业务同样处于无法创收的尴尬境地。尽管三星电子作为仅次于索尼的全球第二大互补式金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器制造商，但其市场份额并不乐观。
据券商推测，一季度三星电子存储业务营业利润接近3.5万亿韩元，但晶圆代工等非存储业务出现1000亿韩元左右赤字。即使排除奥斯汀工厂停工等因素，在全球芯片供不应求的大环境下，三星的业绩表现难言亮眼。
受非存储业务低迷影响，三星电子一季度半导体营业利润率下跌至17.7%。这一数据创下近五年来第二低，同时不及台积电营业利润率的一半，也低于英特尔的18.8%。
三星电子方面也察觉到业绩不振所带来的影响，因此在发布一季度业绩的电话会议中提前公开了下半年主力生产产品。据三星方面表示，在技术差距逐步缩小的存储领域，下半年将加速推进15纳米DRAM制程和128层第六代V-NAND制程，并扩大引入EUV制程。176层第七代V-NAND也将于下半年投入量产。
凭借DRAM价格反弹，三星电子业绩有望在第二季度有所改善。市场调研企业集邦科技预测，二季度DRAM价格将上涨20%至28%。
另据专家分析，三星电子若想提升领先优势，急需确保晶圆代工等非存储部门的竞争力。Eugene投资证券方面表示，除了存储业务和智能手机等消费电子外，三星电子还需证明自己拥有可缩小与台积电在晶圆代工领域差距的实力。据悉，三星电子计划在明年推出的3纳米制程中采用环绕式栈极（Gate-All-Around）工艺，缩短与台积电间的技术差距。
如何在资金实力上赶超台积电也是三星电子面临的课题。台积电与三星电子每年的半导体投资金额虽然都在30万亿至40万亿韩元间，但与台积电仅用于晶圆代工不同，三星电子投资额需同时用于存储芯片和非存储业务线。
与此同时，竞争公司的半导体设备扩张战已然打响。三星电子即将在美国投资170亿美元增设晶圆代工厂，在韩国也将投入30万亿至50万亿韩元用于平泽园区P3生产线。台积电也将于今后3年内投资1000亿美元，在美国亚利桑那州最多建造6家晶圆代工厂。
双方的投资战又引发新的忧虑，有声音指出，若三星电子为赶超台积电而盲目地集中投资晶圆代工，则可能牵连存储业务的领先地位受到动摇。
业界人士表示，三星电子需明确战略，以指引公司是超越台积电、还是确保晶圆代工与存储业务平衡发展齐头并进，在李在镕入狱、司法风险等因素影响下，三星电子处境不容乐观。
【图片提供 韩联社】
