加紧追击 SK海力士宣告量产第四代10纳米级DRAM产品

发稿时间 2021-07-13 09:56
SK하이닉스, EUV D램 시대 열었다…10나노급 4세대 양산
SK海力士于本月12日正式宣告量产极紫外光刻(EUV)技术的第四代(1a)10纳米级8Gbit LPDDR4移动端DRAM产品,这是SK海力士首次采用EUV技术进行DRAM量产。

据悉,半导体行业会以字母标记每一代10纳米级DRAM产品,第一至第四代分别为“1x”、“1y”、“1z”和“1a”。LPDDR4主要用于智能手机等移动端设备,是一款低耗电产品。SK海力士相关人士表示,LPDDR5移动端DRAM产品虽已进入旗舰智能手机市场,但在普通智能手机市场LPDDR4仍占主导地位,因此选定LPDDR4为首个1a量产产品。企业预计下半年开始向智能手机厂商供货。

据了解,SK海力士曾在1y产品生产过程中部分引入EUV技术。SK海力士方面称,在稳定性得以验证的基础上,今后所有1a产品都将采用EUV技术。利用EUV技术有助于降低成本、提高收益,相比同等规格的前一代(1z)产品,1a从同样大小的晶片中获得的DRAM数量能增加约25%。SK海力士认为,在全球DRAM需求迅速上升背景下,1a DRAM能够在解决供应短缺问题上发挥重要作用。而新产品能稳定实现LPDDR4移动端DRAM最高传输速度(4266Mbps)的同时,较以往产品减少20%的耗电,充分符合减碳的企业ESG经验战略。SK海力士计划明年上半年在下一代DRAM产品DDR5中也投入1a技术。

行业预计,SK海力士计划从今年起扩大EUV技术范围,进而提升产能和价格竞争力,向行业巨头三星电子发起追击。SK海力士今年2月与全球唯一生产EUV设备的荷兰半导体设备企业ASML签订了为期5年的设备采购合同,签约规模达4.7549万亿韩元(约合人民币268.75亿元)。

在DRAM领域,三星电子率先宣布EUV技术进展,在去年3月将该技术应用于1x DRAM之后,三星电子已具备将该技术应用于其1z DRAM的能力,企业计划于今年内量产1a DRAM。与此同时,美国美光科技上月也宣告将引入EUV设备量产基于1a的产品LPDDR4x。随着行业巨头陆续加入,行业估计后续EUV技术竞争或将更为激烈。另据市场调查机构Omdia的数据,今年一季度全球DRAM市场中,三星电子以41.2%的份额居首,SK海力士(28.85%)、美光科技(24.3%)分列其后。

 

SK海力士极紫外光刻(EUV)技术第四代10纳米级(la)8Gbit LPDDR4移动端DRAM产品【图片提供 韩联社】

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