三星宣布明年起量产8层TSV技术堆叠DDR5内存

发稿时间 2021-09-03 15:35
삼성전자, ‘초격자’ DDR5 메모리 내년 양산… 차세대 D램도 적수 없다
三星电子近期在全球半导体产业会议Hotchips 33上表示,明年底起将量产8层堆叠的DDR5存储器。

DDR5存储器将使用硅通孔(TSV)技术,将512GB DDR5内存模组进一步堆叠起来,堆叠越多,芯片性能越高。目前三星电子已生产出4层堆叠,并采用TSV技术整合DDR4内存模组的内存,整个芯片厚度仅1.2毫米。而8段TSV堆叠,增加了2倍,厚度仅1毫米。

三星电子称,512GB DDR5的传送速度最高达7200Mbps,与DDR4相比性能提高1.4倍,速度提高2.2倍,容量提高2倍,但耗电量减少了8%。该存储器每秒可处理两部容量为30GB的4K UHD(3840×2160)电影,在容量和传输速度方面均达到行业领先水平,可广泛用于AI、深度学习等技术以及基于5G通信的无人驾驶、物联网等。

分析称,DDR5存储器市场还没有完全打开,目前缺乏与之相匹配的中央处理器(CPU),DDR5只能在移动通信等有限领域商用,这也成为近期存储半导体景气预期下滑的原因。也有观点称,英特尔宣布今年第四季度推出可搭载DDR5的电脑CPU,明年一季度推出服务器CPU,或给市场带来新的变化。

市场调研机构集邦咨询(Trend Force)称,DDR5供应价格将比此前的产品高出30%,但目前电脑原始设备厂商似乎还没有打算开始使用该存储器。集邦咨询则估计,DDR5存储器将分别在2022年、2023年用于商用电脑、个人电脑。Omdia方面预测DDR5存储器在DRAM市场占比明年将为10%,2024年将扩至43%。
 

【图片提供 三星电子】

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