DDR5存储器将使用硅通孔（TSV）技术，将512GB DDR5内存模组进一步堆叠起来，堆叠越多，芯片性能越高。目前三星电子已生产出4层堆叠，并采用TSV技术整合DDR4内存模组的内存，整个芯片厚度仅1.2毫米。而8段TSV堆叠，增加了2倍，厚度仅1毫米。
三星电子称，512GB DDR5的传送速度最高达7200Mbps，与DDR4相比性能提高1.4倍，速度提高2.2倍，容量提高2倍，但耗电量减少了8%。该存储器每秒可处理两部容量为30GB的4K UHD（3840×2160）电影，在容量和传输速度方面均达到行业领先水平，可广泛用于AI、深度学习等技术以及基于5G通信的无人驾驶、物联网等。
分析称，DDR5存储器市场还没有完全打开，目前缺乏与之相匹配的中央处理器（CPU），DDR5只能在移动通信等有限领域商用，这也成为近期存储半导体景气预期下滑的原因。也有观点称，英特尔宣布今年第四季度推出可搭载DDR5的电脑CPU，明年一季度推出服务器CPU，或给市场带来新的变化。
市场调研机构集邦咨询（Trend Force）称，DDR5供应价格将比此前的产品高出30%，但目前电脑原始设备厂商似乎还没有打算开始使用该存储器。集邦咨询则估计，DDR5存储器将分别在2022年、2023年用于商用电脑、个人电脑。Omdia方面预测DDR5存储器在DRAM市场占比明年将为10%，2024年将扩至43%。
【图片提供 三星电子】
