势要赶超台积电 三星宣告明年上半年量产3纳米芯片

发稿时间 2021-10-07 10:55
삼성전자, 3나노 양산 내년 6월로 앞당겨
三星电子与台积电(TSMC)围绕3纳米制程的竞争日趋白热化,三星电子近期宣告明年上半年量产3纳米芯片,立志在台积电前抢夺先机。

三星电子在7日线上“三星代工论坛2021”中发布了上述内容。企业计划明年上半年将环绕闸极(GAA)技术用于3纳米制程、2023年用于第二代3纳米制程、2025年用于2纳米制程。根据三星电子的计划,明年上半年将赶在台积电之前实现3纳米芯片量产。据了解,三星采用GAA技术的3纳米制程效能预计较基于鳍式场效晶体管(FinFET)技术的5纳米制程提升30%,功耗减少50%,芯片面积缩减35%。三星电子同时称,预计在2025年起向2纳米制程导入更加先进的GAA技术。
 

“三星半导体代工论坛2021”活动宣传海报【图片来源 网络】

三星电子3纳米芯片客户也成为行业关注焦点。目前来看,旗下半导体设计业务部三星电子LSI、美国四大半导体设计企业之一的超威半导体(AMD)可能性较高,行业估计AMD明年末推出的新GPU或搭载三星电子3纳米芯片。三星电子代工事业部长崔时荣在当天的论坛中表示,未来将加大投资力度,提升GAA等尖端工艺及现有工艺技术,通过持续的技术创新,提供满足客户需求的各类竞争力产品。

相较之下,台积电计划明年7月量产3纳米芯片,用于英特尔中央处理器(CPU)和图形处理器(GPU)等。不同于三星电子,台积电将在3纳米制程中延续先前采用的FinFET技术,最快2纳米才导入GAA。行业认为,台积电明年量产计划顺利,且有信心更获得客户支持,也是在客户的选择之下,其维持FinFET技术。另据台积电预期,其3纳米制程效能可较5纳米提升10%至15%,功耗减少25%至30%等,3纳米量产头年,客户产品量能达到5纳米两倍以上,广泛应用于智能机与高速运算(HPC)平台。

行业认为,三星电子、台积电采用不同技术的3纳米制程竞争将在2022年实际展开。除GAA外,目前三星也开发3纳米乃至2纳米所需的第二代技术:多桥通道场效应晶体管(MBCFET)。此外,三星电子还在当天的活动中介绍新技术17纳米制程FinFET工艺,效能较28纳米FinFET提升39%,面积大幅缩减43%。

 

三星电子华城代工厂【图片提供 三星电子】

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