据外媒和芯片行业16日消息，台积电将今年资本支出预算定在400亿至440亿美元之间（约合人民币2541亿元至2795亿元），创历史新高，去年企业资本支出约为300亿美元。分析称，台积电这笔投资的70%至80%将用于2、3、5、7纳米芯片制程技术开发。韩国半导体显示器技术学会会长朴在勤表示，近两三年数据服务器、电动车、元宇宙等领域芯片需求上升，助推晶圆代工市场规模壮大。台积电作为行业龙头，持续扩大投资规模，在技术提升和扩大产能、吸引客户上成效颇丰。
数据显示，以去年第三季度为准，全球晶圆代工市场台积电份额（53.1%）以压倒性优势稳居一位，三星电子占17.1%。近年来，双方在5纳米以下制程上的技术竞争日趋白热化。据了解，全球仅台积电和三星电子拥有5纳米制程工艺，双方目前围绕3纳米制程展开激烈竞争。台积电近期宣告，今年下半年将量产3纳米制程芯片。三星电子也计划今年上半年量产基于新一代环绕闸极结构（GAA，Gate-All-Around）的3纳米制程芯片。3纳米制程芯片预计主要用于AI、5G、电装和物联网等领域，高通、苹果、谷歌、微软等是最有力的潜在客户，已有报道称苹果明年推出的新品将搭载台积电3纳米制程芯片。
台积电生产工厂【图片提供 韩联社】
为在新一代技术竞争上抢夺先机，台积电同时加大了2纳米制程的投入。据台湾媒体近日报道，台积电为在全球率先实现2纳米制程芯片量产，近期积极寻找新工厂腹地。三星电子去年10月举行的芯片代工论坛上曾表示，将在2025年量产2纳米制程芯片。
三星电子在全球存储芯片领域占据领先地位，企业拟于2030年同时发展为非存储半导体领域龙头企业。为实现这一目标，三星电子计划在2030年以前投资171万亿韩元（约合人民币9128亿元），加速尖端芯片制程研发和扩大生产设施建设。相关行业预测，三星电子今年在芯片领域的投资将超40万亿韩元（约合人民币2135亿元），企业去年前三季度在芯片上的投资为29.9万亿韩元。不仅如此，三星电子还将在今年实现平泽第三工厂“P3”竣工和第四工厂“P4”动工、美国第二芯片代工厂动工等计划。据悉，P3工厂单是超净车间的占地面积就有25个足球场规模，总投资额突破50万亿韩元，厂内预计引入每台价值超2000亿韩元的极紫外光刻（EUV）设备。美国得州第二工厂投资规模也达到20万亿韩元。
行业相关人士表示，作为综合芯片企业，三星电子在芯片领域的投资注定无法局限于晶圆代工领域，也因此短期内难以缩小与台积电在份额上的差距，但两家企业在技术上的竞争将持续为合作商和相关行业带来积极影响。朴在勤预测，三星电子量产的3纳米制程芯片在投入产出率和特性上优于台积电，企业才能在未来两三年内通过扩大投资缩短与台积电的差距。
三星电子华城工业园芯片代工厂【图片提供 韩联社】
