存储芯片“寒冬”已至，全球芯片巨头三星电子和SK海力士全力进行技术升级，希望借巩固技术竞争力度过市场低谷期。
据相关业界20日消息，三星电子去年11月研发出业界首款基于14纳米的16GB低功耗双倍数据速率内存LPDDR5X DRAM，日前以业界最快运行速度8.5Gbps（千兆比特每秒）通过验证，可搭载骁龙移动平台，同时更新了三星此前于今年3月创下的7.5Gbps的最高运行速度，仅用7个月的时间再次改写纪录，进一步巩固了其在内存芯片上的地位。
DRAM运行速度显示DRAM读取及处理数据的速度，智能终端设备搭载的DRAM运行速度每提高1Gbps，将可多下载两部4GB的高清电影。与三星电子上一代LPDDR5相比，LPDDR5X运行速度提高1.3倍，功耗降低20%。通过三星电子与高通的联合验证后，有望令高速内存接口的面世提前一年。
市场调研机构Omdia提供的数据显示，今年上半年低功耗DRAM销售额达161.33亿美元，同比增长18.7%。凭借低功耗、高性能特点，LPDDR DRAM普及速度加快，扩展至智能手机、平板电脑、高性能计算机和汽车领域。
截至今年第2季度，在低功耗DRAM市场中，三星电子市场份额为57.74%，预计今后在这一市场上的影响力仍将持续扩大。三星电子执行副总裁丹尼尔·李表示，三星将继续与高通积极合作，以提高生态系统对下一代LPDDR标准的准备水平。
SK海力士日前成功开发业界首款将计算功能与CXL（Compute Express Link）存储器相结合的CMS（Computational Memory Solution）。CXL存储器的最大优势在于可灵活扩展存储器容量，更高效地使用中央处理装置、图像处理装置、加速器、存储器等。
今年8月，SK海力士开发出首款基于DDR5 DRAM的CXL存储器样品，日前在美国圣何塞召开的OCP（Open Compute Project）全球峰会上公开基于CXL的CMS及应用该方案的软件平台。
SK海力士在不断改善CMS性能的同时，在大数据应用等其他领域也不断进行研究。下月初在韩国举行的SK技术峰会上，SK海力士将公开演示相关技术。
集邦咨询提供的数据显示，今年第3季度存储芯片DRAM和NAND FLASH价格跌幅分别为10-15%和13-18%，第四季度价格跌幅可能扩大至13-18%和15-20%。
SK海力士副社长朴暻表示，CXL是存储芯片产业迎来的新机遇，通过此次成功开发出与CXL结合的CMS，展现出比采用数十个CPU内核快数倍的运行速度，今后将除了应用于大数据领域外，还将考虑其他应用方案。
日前在美国圣何塞举行的2022 OCP全球峰会上，SK海力士公开将计算功能与CXL存储器相结合的CMS及应用该方案的软件平台。【图片提供 SK海力士】
