19日,三星电子会长李在镕(右)到访位于京畿道龙仁市的器兴园区,视察了下一代半导体研发园区建设现场。去年8月,三星半导体研发园区正式动工,研发园区总面积约10.9万平方米,将主管NAND闪存、晶圆代工、系统新片等新技术研发。
19日,三星电子会长李在镕(右)到访位于京畿道龙仁市的器兴园区,视察了下一代半导体研发园区建设现场。去年8月,三星半导体研发园区正式动工,研发园区总面积约10.9万平方米,将主管NAND闪存、晶圆代工、系统新片等新技术研发。
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