据三星电子28日消息，其成功开发业界首款256GB高性能SD Express接口的Micro SD卡，并已开始向客户企业提供样品。SD Express使用PCI Express®（PCIe®）规格的新SD存储卡用接口，以2019年2月发布的SD 7.1规格为准，可提供985MB/s的数据传输速度。
三星电子通过低电力设计技术和固件优化，成功解决此前产品开发上的发热技术难题，同时在指甲盖大小的Form Factor上实现高性能和稳定性。新产品以SD Express 7.1规格为基础，提供800MB/s和256GB的连续读取性能，性能和容量都达到业界最高水平。
800MB/s的载入速度相当于5秒内将一部4GB大小的电影从存储卡传送到电脑的速度，比2009年1月制定的现有SD存储卡使用规格UHS-Ⅰ（Ultra High Speed-Ⅰ）卡的连续读取速度200MB/s最多提高4倍。
在SSD上搭载的DTG（Dynamic Thermal Guard）技术也被三星电子首次应用于Micro SD卡上，使产品温度维持在最佳水平，有效解决因小型形态产生的发热问题。DTG技术是一种分阶段调整产品性能，防止产品温度过热导致性能突然下降的技术。
此外，三星电子还将批量生产具备最新V-NAND技术基础的业界最高水平耐久性高容量1TB UHS-Ⅰ Micro SD卡。三星电子将最新第8代1TB高容量V-NAND稳定堆叠成8层进行包装，在小型Micro SD卡上实现SSD的太字节级高容量。该产品在深水、坠落、磨损、X光、磁场、温度变化等极端外部环境下也能安全保护数据，具备业界最高水平的耐久性。
三星电子存储芯片事业部常务孙汉久（音）表示：“三星电子的新Micro SD卡虽然只有指甲盖那么大，但具有不亚于电脑储存装置SSD的高性能和高容量，满足即将到来的移动计算和设备端（On-Device）AI时代所需的高性能，具备引领高容量技术的领导力。”
三星电子方面透露，256GB SD Express Micro SD卡将于下月起投入量产，并以B2B供应为开端，在年内实现B2C供应，1TB UHS-Ⅰ Micro SD卡则将于今年第三季度上市。
