韩国半导体巨头竞争白热化 HBM技术成为市场焦点

SK海力士日前召开的股东大会上，社长郭鲁正发表讲话称：“我们会继续保持HBM（高带宽存储器）第一的竞争力。”三星电子设备解决方案（DS）部门代表理事庆桂显在今年的股东大会上提出：“未来两三年内势必重新夺回半导体业界霸主的位置。”

从三星电子半导体部门和SK海力士分别在20日和27日召开的股东大会发言中可以感受到明显的温差，其原因在于人工智能（AI）市场的飞速发展导致HBM成为必需品，两家半导体巨头就此展开激烈的市场竞争。

去年半导体业况恶化，SK海力士在2022年第4季度至去年第3季度持续赤字。随着去年ChatGPT的问世，AI市场正式开启，半导体行业的氛围也发生巨大变化，其背景就是HBM。HBM是通过堆叠多个DRAM来提高速度的高性能存储半导体，在对运算处理速度需求较高的AI领域，HBM自然而然成为必需品。

在HBM量产方面，SK海力士领先三星电子一步。市场调研机构集邦咨询（Trend Force）透露，去年HBM市场占有率为SK海力士53%、三星电子38%、美光9%。在第四代HBM（HBM3）市场中，SK海力士占据份额高达90%。

三星电子股东大会上有意见指出，三星电子在HBM市场竞争中存在落后的可能性。庆桂显对此声称，为防止类似事件再次发生，会彻底作好准备全面应对。如果在HBM市场竞争中输在起跑线上，未来实现反超或存在一定难度。因此为抓住市场先机，目前各大半导体企业的技术竞争异常激烈。

最近SK海力士开始全球首次大规模批量生产第五代HBM（HBM3E）并向英伟达供货，其12层堆叠产品也计划在今年上半年投入量产。郭鲁正也在股东大会上表现出对HBM的自信：“在HBM方面，我们通过比以往散热性能改善10%的Advanced MR-MUF技术，成功提高12层堆叠HBM3的散热性能，目前最高性能的HBM3E也已经开始供货。”

MR-MUF是SK海力士使用的HBM制造技术，即在堆叠芯片之间放置保护材料后进行一次性固化的工艺。三星电子在堆叠DRAM时，则采用在芯片之间放入热压非导电薄膜（NCF）的方式。三星电子为了恢复在HBM市场的主导地位，也正在迅速追赶。英伟达CEO黄仁勋表示：“目前正在测试三星电子的HBM3E，抱有较大期待。”此后的市场变化也备受关注。

当地时间26日，三星电子在美国加利福尼亚州硅谷举行的全球半导体学会MemCon 2024上，公开引领人工智能（AI）时代的CXL（Compute Express Link）技术存储芯片与高性能高容量HBM。

三星电子DRAM开发室长黄尚俊（音）表示，继正在批量生产中的第三代（HBM2E）和第四代（HBM3）之后，计划在上半年批量生产以12层堆叠第五代HBM和32Gb为基础的128GB DDR5产品，继续引领AI时代的高性能高容量存储器。三星电子预测，今年HBM的出货量或较去年最多增加2.9倍。