重蹈英特尔覆辙？SK海力士无锡工厂升级计划恐因美方反对落空

据路透社18日消息，SK海力士位于中国江苏省无锡市的芯片工厂改造计划或因美方的反对而落空。

报道援引多名消息人士的话说，SK海力士计划在无锡半导体工厂引入荷兰阿斯麦尔（ASML）的极紫外线（EUV）光刻机，来提高工艺技术的稳定性。但这一计划恐遭到美方反对，前景不甚明朗。

美方担心中国或将此项技术运用于提高军事能力，从而对美国产生安全威胁。白宫一位高级官员对此报道不予置评，但他重申拜登政府坚持防止中方利用美国及其盟国技术开发尖端半导体这一方针不会改变。

SK海力士约半数的DRAM内存芯片产自无锡工厂，占全球DRAM总产量的15%。路透社报道称，SK海力士如遭美方阻拦无法使用EUV光刻机，节省成本和提高生产效率的目标则很难达成。如SK海力士无法寻求解决途径，则将在与三星电子和美光的竞争中处于不利地位，成为中美冲突之争的牺牲品。这也是SK海力士一直以来的“心患”，今年7月，SK海力士CEO李锡熙访问韩国时，曾向美方就此事提出交涉。

截至目前，SK海力士尚未对此做出回应。本月初，SK海力士、三星电子、台积电、美国美光等半导体企业在美国商务部的要求下，向其提交芯片产业链信息数据。