得技术者得天下 三星电子成立3纳米GAA小组叫板台积电

三星电子副会长李在镕日前结束欧洲之行返回韩国，此次欧洲行期间，李在镕辗转德国、荷兰、法国、比利时多地，与欧洲半导体设备制造商等战略伙伴碰头，为三星电子产业链布局，并为集团未来发展寻求新商机。

据悉，李在镕回到韩国后多次强调技术的重要性，三星电子若想在竞争中继续保持优势，必须以技术为王。本月初，三星电子对晶圆代工业务部门进行了改组，新成立3纳米全环绕栅极（GAA，Gate-all-around）工作小组，由集团常务级高层担任负责人。

三星电子目前同时进行多项技术研发，新一代工艺技术GAA对半导体晶体管现有结构进行改进，使栅极可接触到晶体管的四面，目前FinFET工艺仅能接触三面，GAA比FinFET工艺更加准确地控制电流。3纳米工艺可将半导体性能和电池效率分别提高15%和30%，与5纳米工艺相比，芯片面积可减少35%。

全球芯片晶圆代工龙头老大台积电目前在3纳米工艺上仍在使用现有的FinFET工艺，并计划于2026年左右开始在2纳米工艺上启用GAA。三星欲抢先实现应用，计划在2023年将GAA工艺引入第二代3纳米芯片，并在2025年大规模生产基于GAA工艺的2纳米芯片，并率先实现在手机、人工智能、5G、物联网等新技术上的应用，抢占市场先机。

但3纳米技术工艺门槛极高，三星电子和台积电虽计划从下半年起正式生产3纳米芯片，为苹果和英特尔供货，但两家企业均在提高3纳米工艺产量方面遇到不小的困难。

三星电子使用3纳米工艺试产的晶圆虽已投入使用，但由于产量过低，一直在推迟大规模量产的时间。业界预测，若三星能够率先在基于GAA的3纳米工艺中保证稳定产量，将改写代工市场的游戏规则。