3纳米工艺是目前已有半导体制程中最先进的技术，与传统的5纳米芯片相比，3纳米工艺可降低45%的功耗，性能提高23%，芯片面积减少16%。三星电子在全球率先采用的GAA技术打破了现有FinFET（鳍式场效应晶体管）的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流提高芯片性能。三星电子称，预计于明年起采用的第二代3纳米工艺将使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积缩小35%。
三星电子计划先将3纳米制程应用于高性能计算领域（HPC, High-Performance Computing）的系统半导体芯片，并逐步扩大至处理器领域。
三星电子希望借此次率先量产3纳米芯片缩小与全球最大芯片代工商台积电的距离。截至今年第一季度，台积电占据全球53.6%的代工市场，三星电子虽排名第二，但市场份额仅为16.3%。
三星电子位于京畿道华城的园区全景。【图片提供 韩联社】
另据半导体业界消息，三星电子在京畿道龙仁市器兴区将新建一座研发中心，由三星物产负责项目施工。这是三星电子继2014年在华城成立设备解决方案研究中心（DSR）后，时隔8年再成立研发基地。已故三星会长李秉喆于上世纪80年代在器兴开始研究半导体，象征意义重大。
三星电子此间一直以华城DSR研究中心、半导体研究所（SRD）等为中心研发半导体技术，但现有设备、工作空间已无法满足日益增长的研究需求。新研发中心预计主要用于进行晶圆代工、内存芯片等尖端技术的研究，三星电子有望借此强化半导体产业基础，吸引更多的技术人才。
三星电子副会长李在镕日前出访欧洲时，实地考察了荷兰阿斯麦尔、比利时imec的半导体研究基地，切身感受到技术创新的重要性。在新一轮技术大战中，三星的竞争对手争先恐后进行科研创新，台积电日前在日本成立研发中心，科研基础设施遍布全球多地。英特尔、中芯国际等也在积极上马科研投资项目。
在被视为未来半导体技术的3D DRAM、High·NA光刻机、6亿像素传感器等领域，全球尚未出现绝对的霸主，三星电子将借器兴科研中心的成立吸引高端人才抢占先机。
