全球半导体产业迈入下行周期的背景下，今年二季度三星电子的全球DRAM（随机存取存储器）市场份额为43.4%，仍稳居一位。
三星电子的DRAM市场份额从去年四季度的41.9%、今年一季度的41.9%升至二季度的43.4%，连续两个季度呈上升趋势。
DRAM领域第二位的SK海力士二季度市场份额较一季度（27.1%）上升1个百分点至28.1%。继三星电子、SK海力士排名第三的美国美光科技市场份额达到23.6%，较前一季度（24.8%）下降1个百分点。三家厂商的市场份额高达95.1%。
三星电子在全球NAND闪存市场也依旧稳坐第一把交椅，二季度市场份额较一季度（35.5%）下降2.2个百分点至33.3%。
SK海力士（包括子公司Solidigm）以20.4%位居第二，之后依次为日本铠侠（16.0%）、美国西部数据（13.0%）和美光科技（13.0%）等。
虽然受全球经济低迷导致需求萎缩影响，DRAM和NAND闪存价格持续下跌，但三星电子仍将在存储半导体市场上保持压倒性的第一位。
据悉，三星电子为维持在存储器半导体市场上的绝对优势，正在快马加鞭地进行技术开发。
三星电子于本月5日（当地时间）在美国加利福尼亚州硅谷举行的“三星科技日”上表示，计划明年量产第5代10纳米（1纳米是10亿分之1米）级DRAM，并将于2024年量产第9代V NAND芯片。
业界首次公开的第5代10纳米级DRAM量产计划备受关注，这意味着将半导体内部的线宽缩小到10纳米。线宽越窄，半导体的大小就越小，消耗电力就会减少，速度也会加快。
三星电子还表示，将在NAND闪存领域继续扩大领先优势。三星电子提出了具体的发展蓝图，即，到2024年量产第9代V NAND，并于2030年为止开发出1000层V NAND产品。
目前三星电子已经生产的第7代V NAND闪存可达176层。SK海力士和美光科技等竞争企业于今年公开了200层以上的V NAND技术，展开了“层层竞争”，而三星电子在这种情况下公布了将量产1000层的技术开发计划。
5日（当地时间）在美国硅谷举行的“2022三星科技日”上，三星电子系统LSI事业部部长朴庸仁正在发表演讲。【图片提供 韩联社】
