美国扩大对华半导体设备出口限制等措施表示中美之间在技术领域的对峙持续加剧，而此前一直对中国进行大规模投资的韩国半导体行业可能会遭受打击。
隶属于韩国国会产业通商支援中小风险企业会的共同民主党议员金会在从产业通商支援部收到的资料显示，1997年至2020年间，三星电子在美投资为38亿美元，仅为在华投资（170.6亿美元）的五分之一，而在美未设工厂的SK海力士仅在华投资就已达249亿美元。
SK海力士于2005年在中国江苏省无锡市开设DRAM工厂，并于2019年追加投资对工厂进行了扩建。2013年，SK海力士与重庆政府签订协议投资建设NAND Flash存储芯片封装测试生产线。与之相反的是，SK海力士至今并未在美开设半导体工厂的计划，仅决定于2026年在美国加利福尼亚州圣何塞地区建立研究开发（R&D）中心。
三星电子继1996年在中国苏州建立DRAM封装工厂后，又于2006年在上海建立半导体及显示器销售法人。三星电子的NAND Flash存储芯片项目于2012年落户西安高新区并持续投资扩大该工厂产能。
虽然在美国德州奥斯汀建立系统LSI及晶圆代工生产线，加利福尼亚州圣何塞建立半导体与显示器销售及R&D法人，但三星电子在美的投资规模远低于中国。
近期，美国政府公布对华半导体设备出口限制措施，并通知三星电子和SK海力士，允许这两家企业的在华工厂无需向美国政府报批继续自美进口半导体相关设备及技术，期限为一年，令韩国企业暂时松了一口气。
但韩国业界预测，考虑到延期期限仅为一年，三星电子和SK海力对华进行的长期大规模投资计划必然要重新规划。
韩国产业研究院专业研究员金阳彭（音）表示，中国作为韩国半导体最大消费市场，考虑到地缘政治的重要性，韩国企业此前对华持续进行大规模投资。但美对华的半导体出口限令对韩国企业的暂缓期限仅为一年，宽限期结束后需要更换的半导体设备供给可能出现差池。
习近平开启第三任期后，中美之间在半导体等技术领域的冲突或愈演愈烈，引发韩国业界担忧。
有观测指出，受美国《通胀缩减法案》（IRA）影响，近十年对华投资超过10万亿韩元（约合人民币504.17亿元）的LG新能源（6.5万亿韩元）、SK On（3.42万亿韩元）、三星SDI（2900亿韩元）等韩国电池厂商，今后将减少对华投资。
在美投资规模方面，LG新能源为9.8934万亿韩元，SK On为7.13万亿韩元，均大于对华投资。三星SDI虽然并未在美建立工厂，但计划与斯特兰蒂斯合作，在2025年之前建立电动汽车电池生产工厂。由于三家电池厂商此前在美国也积极扩大投资规模，因此情况要好于半导体行业。
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