韩国对外经济政策研究所（KIEP）最近发布的《中国半导体国产化推进现状及启示》报告显示，中国在NAND领域与全球领先企业相比，差距约为2年。中国的代表存储半导体制造企业长江存储（YMTC）目前正在量产128层第六代产品，而三星电子正在量产236层第八代产品，SK海力士和美光科技也分别在量产176层和232层产品。
在DRAM领域，中国的长鑫存储（CXMT）正在量产19纳米第一代产品，而三星电子、SK海力士和美光科技正在量产第四代（1a，14纳米）产品，差距为5年。
另外，在晶圆代工领域，三星电子和中国台湾的台积电（TSMC）已经开始量产3纳米芯片，而中国的中芯国际（SMIC）仅在量产14纳米芯片。
过去，中国在半导体制造设备方面主要依赖海外企业，但随着本地代工企业增加对本土化投资以稳定半导体供应链，中国去年半导体设备的国产化率显著提高。
根据国际半导体产业协会（SEMI）的数据，从2012年到2022年，中国半导体设备市场年均增长率达到27%。去年，中国的半导体设备国产化率达到35%，较前一年提高了14个百分点。
该报告指出，主要国家对中国实施的出口管制措施在短期内限制了先进半导体技术进入中国市场，同时也提高了中国国内半导体生产的成本，对半导体国产化产生了影响。
由于目前中国半导体设备公司的技术水平相对较低，光刻设备等关键微纳制程设备的国产化进展较为缓慢。因此，分析认为中国将采取多种方式推进半导体国产化。特别是去年12月，中国的长江存储被列入美国商务部的限制名单，导致设备采购和产品出口受到困扰。预计企业将通过引进技术人才、企业收购等方式来获取技术要领。
有消息称，在未来5到10年内，中国有望在下一代功率半导体领域取得领先地位，尽管先进半导体制造过程面临各种专利壁垒和技术挑战。专家指出，中国在国有资本的支持下，重点企业积累半导体制造技术和知识的速度非常快。如果国家继续提供支持，中国市场将发生根本性的变化，部分企业有可能具备全球竞争力。
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