SK海力士首度亮相CFMS主题演讲 计划升级在华NAND生产工艺

SK海力士计划下月在中国深圳举行的NAND闪存论坛上首次发表主题演讲。中美贸易矛盾长期化，去年SK海力士获美国商务部“经验证最终用户（VEU）”指定，当地生产据点得到保障后决定致力于扩大在中国存储芯片市场的影响力。尤其是与DRAM相比，NAND风险在较大程度上已经得到缓解，预计中国国内的需求也会持续增加。

据SK海力士22日消息，SK海力士将作为主旨演讲人参加下月20日在深圳举行的中国闪存市场峰会（CFMS）2024，SK海力士在CFMS上发表主题演讲尚属首次。负责解决方案开发的副社长安炫将作为演讲者出席，并发表SK海力士的3D NAND技术及用于400层NAND的混合键合技术等发展蓝图。

CFMS的举办始于2017年，是继美国闪存峰会之后NAND闪存业界的最大型活动之一。包括NAND市场排名第一的三星电子在内，美光、英特尔、铠侠、长江存储等主要半导体企业都将参加此次论坛。今年的主题演讲人21位，为有史以来最大规模，每年负责主题演讲的三星电子今年也将派出负责解决方案产品工程的副社长吴华锡（音）进行演讲。

据悉，SK海力士首次在CFMS发表主题演讲的背景是NAND市场的恢复与中国当地生产风险的降低。中美贸易矛盾导致对华出口停滞不前，但中国依旧是韩国的最大NAND出口国。据韩国关税厅（海关）数据，上月中国占据韩国NAND出口总额的85%。NAND受IT市场状况的影响巨大，随着中国多家IT企业开始大量订购NAND，需求正在显著增加。

适用设备端AI的高性能IT机器上市，导致高容量与高性能NAND需求不断增加。据市场调研机构TechInsights数据，今年NAND市场规模有望达到520亿美元，同比增长32%。SK海力士中国无锡工厂产能占其全体DRAM的40%，大连NAND工厂生产全体NAND的30%。因美国对中国半导体限制的加强，SK海力士中国当地生产设施一直受到直接影响。

去年SK海力士获得美国政府“经验证最终用户（VEU）”指定后，当地生产不确定性有所减少，因此可以升级生产工艺。尤其是NAND的工程水平比DRAM低，因此有评价认为风险得到较大程度的缓解。SK海力士计划以大连Solidigm工厂为中心，通过强化与现有NAND部门的协同效应来发展投资。

此外，在华当地生产风险降低后，SK海力士还对无锡DRAM工厂进行升级。SK海力士发表去年第四季度业绩时提到，计划对无锡工厂实施1a纳米转换，从而实现先进工艺产品DDR5和LPDDR5的批量生产，并考虑最大限度延长工厂的使用时间。1a DRAM是第四代10纳米级DRAM，属于相对尖端工艺。