收益不佳反加大研发投入 三星SK坚守半导体霸权地位

发稿时间 2024-03-25 11:20
"메모리 1위 수성"…삼성·SK, 불황에도 '기술 경영' 역대급 R&D 투자
在中美竞争企业的猛烈追击下,三星电子和SK海力士为积累未来竞争力,守护存储半导体霸权,在去年业况低迷的情况下,依旧积极进行研究开发(R&D),坚持“技术经营”。

据半导体业界24日消息,三星电子去年共投入28.3528万亿韩元(约合人民币1533.74亿元)用于研究开发,较2022年的24.9292万亿韩元增加约13.7%。研究开发费用在销售额中所占比重为10.9%,而前一年为8.2%,2021年为8.1%,去年较以前出现显著增长。

三星电子去年销售额和营业利润都表现不佳。2022年突破300万亿韩元的销售额去年仅为258.9355万亿韩元,减少14.3%,同期营业利润足足减少84.8%。在此情况下,三星电子依旧继续提高研究开发投入。

三星电子去年通过进击的研究开发取得LPCAMM(Low Power Compression Attached Memory Module)和GDDR7等成果。LPCAMM是基于LPDDR封装的模块产品,与传统基于DDR的笔记本电脑用内存相比,性能提高最多50%,功耗效率提高最多70%。GDDR7是一种用于图形处理、数据中心、人工智能等大数据快速处理的图形内存。
 
【图片来源 三星电子】
LPCAMM【图片来源 三星电子】
SK海力士去年也没有懈怠研究开发投资。去年SK海力士投入的研究开发费用规模为4.1884万亿韩元。仅从金额来看,去年较前一年的4.9053万亿韩元减少14.6%,但在销售额中所占比重为12.8%,较2022年的11%有所增加。

有评价认为,SK海力士在考虑财务健全性的同时,依旧专注于研究开发。SK海力士去年销售额为32.7657万亿韩元,较前一年的44.6216万亿韩元减少26.5%,甚至去年还出现7.7303万亿韩元的营业损失。在这种情况下,SK海力士还坚持投入4万亿韩元进行研究开发。SK海力士2021年营业利润为12.4103万亿韩元,与当年的4.0448万亿韩元研究开发费用相比,去年的研究开发投入力度更大。

在SK海力士去年的研究开发成果中,最引人注目的是AI向高带宽存储器(HBM)第5代产品HBM3E的成功开发。其为存储芯片业界推出的首个第5代产品,同时在业界最早投入量产。此外,SK海力士在去年1月成功开发移动内存LPDDR5T后,时隔10个月在同年11月投入商业使用。

半导体企业在经营恶化的情况下依旧致力于研究开发,旨在最大限度提高在未来市场上的盈利能力。半导体产业技术发展迅速,尤其是存储芯片领域的强者恒强局势难以打破。率先开发新一代产品的企业进行高价销售,但在后起之秀推出相似产品后就会产生供给增加,从而导致价格下跌。因此,先发制人开发新一代产品并成功实现商用化是盈利的关键。

AI向HBM的后起之秀美光目前也已开始批量生产HBM3E,与韩国企业技术竞争力旗鼓相当。长江存储也成功开发并批量生产232层NAND,开始威胁技术达到238层的韩国企业领先地位。业界相关人士强调,半导体的技术发展速度非常快,稍有疏忽就会在竞争中落后,因此无论经济形势如何,都必须对研究开发进行持续投资。
 
【图片来源 SK海力士】
HBM3E【图片来源 SK海力士】

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