三星电子公开新一代内存解决方案 引领AI时代发展

发稿时间 2024-03-27 10:08
삼성전자, 'AI 시대' 이끌 메모리 설루션 CXL·HBM 공개
当地时间26日,三星电子在美国加利福尼亚州硅谷公开引领人工智能(AI)时代的新一代存储芯片解决方案。

当天,在硅谷举行的全球半导体学会MemCon 2024上,三星电子通过主题演讲展示CXL(Compute Express Link)技术基础的存储器与高性能高容量的高带宽存储器(HBM),并在演讲中强调,CXL技术在内存容量方面、HBM在带宽方面正在引领行业革新。

CXL是一种连接中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)和存储半导体的技术,可以提高数据处理速度和容量,因此作为下一代内存技术在数据处理大幅增加的生成型AI中备受关注。

三星电子美洲存储芯片研究所所长崔振赫(音)表示,CXL可以有效管理内存,提高系统安全性,三星电子计划通过多种以CXL技术为基础的解决方案,大幅提高内存容量和带宽。三星电子在会上大举展示诸如CMM-D(DRAM)、混合使用NAND和DRAM的CMM-H和内存集成解决方案CMM-B的CXL技术基础解决方案。

此外,三星电子还着重强调HBM解决方案。HBM是通过垂直堆叠多个DRAM来显著提高数据处理速度的高性能存储器,在生成型AI的驱动上备受关注。

三星电子DRAM开发室长黄尚俊(音)表示,继正在批量生产中的第三代(HBM2E)和第四代(HBM3)之后,计划在上半年批量生产以12层堆叠第五代HBM和32Gb为基础的128GB DDR5产品,继续引领AI时代的高性能高容量存储器。

三星电子计划在第六代HBM堆叠内存的最底层应用缓冲晶片(Buffer Die),继续推动AI时代存储半导体的创新。MemCon从去年起每年举办,旨在深入探讨AI相关存储芯片解决方案,今年有三星电子、SK海力士、微软(MS)、英伟达(NVIDIA)、Meta、AMD等企业参加。
 
【图片来源 三星电子】
全球半导体学会MemCon 2024现场【图片来源 三星电子】

《 亚洲日报 》 所有作品受版权保护,未经授权,禁止转载。

기사 이미지 확대 보기
닫기
TOP