韩国半导体巨头竞争白热化 HBM技术成为市场焦点

发稿时间 2024-03-28 14:05
HBM업고 훨훨 나는 SK하이닉스…1위 고수 전략 통할까
SK海力士日前召开的股东大会上,社长郭鲁正发表讲话称:“我们会继续保持HBM(高带宽存储器)第一的竞争力。”三星电子设备解决方案(DS)部门代表理事庆桂显在今年的股东大会上提出:“未来两三年内势必重新夺回半导体业界霸主的位置。”

从三星电子半导体部门和SK海力士分别在20日和27日召开的股东大会发言中可以感受到明显的温差,其原因在于人工智能(AI)市场的飞速发展导致HBM成为必需品,两家半导体巨头就此展开激烈的市场竞争。

去年半导体业况恶化,SK海力士在2022年第4季度至去年第3季度持续赤字。随着去年ChatGPT的问世,AI市场正式开启,半导体行业的氛围也发生巨大变化,其背景就是HBM。HBM是通过堆叠多个DRAM来提高速度的高性能存储半导体,在对运算处理速度需求较高的AI领域,HBM自然而然成为必需品。

在HBM量产方面,SK海力士领先三星电子一步。市场调研机构集邦咨询(Trend Force)透露,去年HBM市场占有率为SK海力士53%、三星电子38%、美光9%。在第四代HBM(HBM3)市场中,SK海力士占据份额高达90%。

三星电子股东大会上有意见指出,三星电子在HBM市场竞争中存在落后的可能性。庆桂显对此声称,为防止类似事件再次发生,会彻底作好准备全面应对。如果在HBM市场竞争中输在起跑线上,未来实现反超或存在一定难度。因此为抓住市场先机,目前各大半导体企业的技术竞争异常激烈。

最近SK海力士开始全球首次大规模批量生产第五代HBM(HBM3E)并向英伟达供货,其12层堆叠产品也计划在今年上半年投入量产。郭鲁正也在股东大会上表现出对HBM的自信:“在HBM方面,我们通过比以往散热性能改善10%的Advanced MR-MUF技术,成功提高12层堆叠HBM3的散热性能,目前最高性能的HBM3E也已经开始供货。”

MR-MUF是SK海力士使用的HBM制造技术,即在堆叠芯片之间放置保护材料后进行一次性固化的工艺。三星电子在堆叠DRAM时,则采用在芯片之间放入热压非导电薄膜(NCF)的方式。三星电子为了恢复在HBM市场的主导地位,也正在迅速追赶。英伟达CEO黄仁勋表示:“目前正在测试三星电子的HBM3E,抱有较大期待。”此后的市场变化也备受关注。

当地时间26日,三星电子在美国加利福尼亚州硅谷举行的全球半导体学会MemCon 2024上,公开引领人工智能(AI)时代的CXL(Compute Express Link)技术存储芯片与高性能高容量HBM。

三星电子DRAM开发室长黄尚俊(音)表示,继正在批量生产中的第三代(HBM2E)和第四代(HBM3)之后,计划在上半年批量生产以12层堆叠第五代HBM和32Gb为基础的128GB DDR5产品,继续引领AI时代的高性能高容量存储器。三星电子预测,今年HBM的出货量或较去年最多增加2.9倍。
 
【图片来源 韩联社】
【图片来源 韩联社】

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