三星电子启动业内首批第九代V-NAND闪存量产

据三星电子23日消息，其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，该产品较三星上一代产品提高约50%的位密度（bit density），通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率。

凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高约50%。单元干扰避免和单元寿命延长等新技术特性的应用使产品质量和稳定得到提高，而消除虚通道孔则显著减少了存储单元的平面面积。

此外，三星的“通道孔蚀刻”技术通过堆叠模具层来创建电子通路，可在双层结构中同时钻孔，达到三星最高的单元层数，从而最大限度地提高制造生产率。随着单元层数的增加，穿透更多单元的能力变得至关重要，因此需要更复杂的蚀刻技术。

第九代V-NAND配备下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入 / 输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。除了新接口，三星还计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。

与上一代产品相比，基于三星在低功耗设计方面取得的进步，第九代V-NAND的功耗也降低10%。三星已于本月开始量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品，并将于今年下半年开始量产四层单元（QLC）第九代V-NAND。

三星电子存储芯片业务部门副社长许星会表示，随着NAND闪存产品的进化，顾客对高容量、高性能产品的需求越来越高，三星电子通过极限的技术革新提高生产效率和产品质量，未来还将通过第9代V-NAND引领AI时代的超高速、超高容量固态硬盘（SSD）市场。