SK海力士将在2026年批量生产第7代高带宽存储器(HBM4E),较此前计划提前1年。以批量生产第6代(HBM4)高带宽存储器的同时,快速投入生产下一代产品(第七代)为战略,致力于快速实现规模化生产和应用。虽然距离HBM4投产还有两年的时间,不过SK海力士已经在加速推进第七代HBM产品的开发工作。此外,三星电子、美光科技等竞争企业也紧追其后,提速新产品开发。
SK海力士HBM先进技术团队负责人金贵旭(音)在首尔华克山庄大酒店举行的“IMW 2024”上发表演讲时做出了上述发言,并分享了下一代HBM的发展方向。金贵旭在演讲时展示了公司HBM技术的发展蓝图,并强调:“当前HBM技术已达到新的水平,同时代际更迭周期也在加快,第4代(HBM3)以2年为周期开发,而第5代(HBM3E)开始,由以往的2年变成了1年。”
据业界透露,SK海力士的HBM4E的产品规格将明显改善。据悉,SK海力士第七代(HBM4E)内存将采用第6代(1c)10纳米级DRAM,第5代(HBM3E)和第6代(HBM4)目前采用第5代(1b)10纳米级DRAM。SK海力士将在今年第三季度开始量产其第6代(1c)10纳米级DRAM并适用于下一代HBM,领先于三星电子,三星电子计划在今年年底前量产。
随着HBM技术的发展,大幅提高了容量和数据传输速率。行业对于高带宽存储器的高需求迫使SK海力士将HBM项目提速,预计首批12层堆叠的HBM4最快于明年下半年到来,2026年预计推出16层堆叠的产品。
此前,SK海力士与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作,共同开发第6代(HBM4)产品。台积电将负责封装工艺以提升产品兼容性。