美国国际塑料展览会（NPE 2024），SK化学展位图。【图片提供 SK化学】
SK海力士将在2026年批量生产第7代高带宽存储器（HBM4E），较此前计划提前1年。以批量生产第6代（HBM4）高带宽存储器的同时，快速投入生产下一代产品（第七代）为战略，致力于快速实现规模化生产和应用。虽然距离HBM4投产还有两年的时间，不过SK海力士已经在加速推进第七代HBM产品的开发工作。此外，三星电子、美光科技等竞争企业也紧追其后，提速新产品开发。
SK海力士HBM先进技术团队负责人金贵旭（音）在首尔华克山庄大酒店举行的“IMW 2024”上发表演讲时做出了上述发言，并分享了下一代HBM的发展方向。金贵旭在演讲时展示了公司HBM技术的发展蓝图，并强调：“当前HBM技术已达到新的水平，同时代际更迭周期也在加快，第4代（HBM3）以2年为周期开发，而第5代（HBM3E）开始，由以往的2年变成了1年。”
据业界透露，SK海力士的HBM4E的产品规格将明显改善。据悉，SK海力士第七代（HBM4E）内存将采用第6代（1c）10纳米级DRAM，第5代（HBM3E）和第6代（HBM4）目前采用第5代（1b）10纳米级DRAM。SK海力士将在今年第三季度开始量产其第6代（1c）10纳米级DRAM并适用于下一代HBM，领先于三星电子，三星电子计划在今年年底前量产。
随着HBM技术的发展，大幅提高了容量和数据传输速率。行业对于高带宽存储器的高需求迫使SK海力士将HBM项目提速，预计首批12层堆叠的HBM4最快于明年下半年到来，2026年预计推出16层堆叠的产品。
此前，SK海力士与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，共同开发第6代（HBM4）产品。台积电将负责封装工艺以提升产品兼容性。
