相较上一代eUFS 3.0(512GB)闪存产品,512GB eUFS 3.1的数据写入速度高达每秒1200MB,速度提升三倍。根据三星方面的说明,搭载512GB eUFS 3.1的智能手机只需4秒钟就可以储存5GB容量的一部电影,1分30秒可以将100GB大小的数据转移到手机中。这个数据处理速度是搭载SSD的电脑处理速度的两倍,是UHS-I microSD存储卡写入速度的十倍。
512GB eUFS 3.1的数据读取速度为每秒2100MB,随机读取和随机写入速度都比既有产品有所提升。三星电子内存项目部崔铁副社长表示,该产品完美解决消费者在存储数据时的郁闷感受,三星电子将尽量保证各大手机厂商要求的供货量。
三星电子计划今年构筑512GB、256GB、128GB三种容量的eUFS 3.1产品线,占据智能旗舰手机内存市场的制高点。三星还透露,其位于中国西安市的X2线则已于本月开始生产第五代V-NAND(9x层),韩国平泽市的P1线将很快转向第六代V-NAND闪存(1xx层)芯片的量产,以满足日益增长的市场需求。