据消息人士透露，美方此次计划禁止对华禁售用于制造128层堆叠以上的NAND闪存芯片设备，限制对象包括长江存储等，目前尚处于初步讨论阶段，暂无起草计划。美国商务部对此不予置评，仅表示美国政府重点是削弱中国在尖端半导体领域的制造能力，以应对美国的重大国家安全风险。目前生产制造128层堆叠以上的NAND闪存芯片设备包括应用材料（Applied Materials）和泛林集团（LAM Research）等美国企业。
若这项限制计划最终获批，将是美方首次通过出口管制来限制中国生产非军事用途的存储芯片。消息人士称，这项计划最大的受害者或是三星电子和SK海力士，目前三星电子在西安和苏州建有两座NAND闪存芯片工厂，SK海力士则在无锡、重庆和大连建有生产线。SK海力士此前完成收购英特尔在中国的NAND闪存芯片制造业务，若美方此次计划获批，美国芯片设备将被禁止运往这两家韩企位于中国大陆境内的工厂。
市场调查机构集邦咨询发布的数据显示，今年第一季度，全球NAND闪存芯片市场中，三星电子以35.3%的市场份额位居首位，日本铠侠、SK海力士、西部数据和美光科技依次排名其后，长江存储约占5%，较一年前几乎翻倍。美国若对准长江存储“卡脖子”，很可能令长江存储面临发展困境。
成立于2016年的长江存储是NAND闪存芯片领域的后起之秀，已成功量产128层NAND闪存芯片，并正在积极研发232层NAND闪存芯片，有传闻称最快可能于今年年底量产。美国白宫在去年6月发布的一份报告中指出，长江存储的低价扩张战略对美光科技、西部数据等美国企业构成直接威胁。报告中称，长江存储为中国NAND闪存芯片制造龙企业，获得约240亿美元的政府补贴。
目前长江存储正在接受美国商务部的调查，该企业被指控向华为畅享20e手机提供NAND闪存芯片，或违反美国的出口禁令。
位于湖北省武汉市的长江存储核心生产基地【图片来源 网络】
