SK海力士在华芯片厂升级改造计划恐遭美方反对而落空。 【图片来源 网络】
路透社上周报道称，SK海力士无锡工厂升级改造计划或因美方反对落空，消息一出，引发中美两国芯片之争殃及韩企的忧虑。SK海力士社长李锡熙日前表示：“韩国国内工厂已从今年7月起使用极紫外线（EUV）光刻机开始量产10nm级第4代DRAM内存芯片。”言下之意距离中国工厂引入EUV光刻机设备投入DRAM生产，准备时间尚较为充裕。
路透社援引多名消息人士的话说，SK海力士原计划在无锡工厂引入荷兰阿斯麦尔（ASML）生产的EUV光刻机，来提高工艺技术的稳定性，但这一计划遭到美方反对。美国白宫一位高级官员表示，拜登政府坚持防止中方利用美国及其盟国技术开发尖端半导体。
SK海力士约半数的DRAM内存芯片产自无锡工厂，占全球DRAM总产量的15%，如无法使用EUV光刻机，SK海力士的产品竞争力将被大大削弱。李锡熙称，将就此事持续与美国政府进行协商。
针对SK海力士正在推进的收购英特尔NAND业务一事，李锡熙透露，正在同中国政府积极进行沟通。目前这一收购案仅剩下中国国家市场监督管理总局的批准，完成收购后，SK海力士将取代日本铠侠，跃升全球第二大NAND闪存生产商。
